Qualcomm-ის 64 ბიტიანიანი 6 და 8 ბირთვიანი პროცესორები, Snapdragon 808 და Snapdragon 810

მთავარი » განხილვა » Qualcomm-ის 8 ბირთვიანი Snapdragon 810-ის და 6 ბირთვიანი Snapdragon 808-ის განხივა

Qualcomm-მა 2014 წლის აპრილში ორი მძლავრი რევოლუციური მეოთხე თაობის პროცესორები წარმოადგინა ფლაგმანური მოწყობილობებისთვის, 64 ბიტიანი 8 ბირთვიანი Snapdragon 810 და 64 ბიტიანი 6 ბირთვიანი Snapdragon 808, ორივე აღნიშნული პროცესორი წარმოდგენილია HPm 20 ნანომეტრიანი 64 ბიტიანი ARMv8-A არქიტექტურით. კომპანიამ პროცესორები გაყიდვაში 2014 წლის მიწურულს ჩაუშვა 2015 წლის დასაწყისში დასაანონსებელი სმარტფონებისთვის.

8 ბირთვიანი Snapdragon 810-ის ტექნიკური მახასიათებლებია:

• 4 მაღალი წარმადობის Cortex-A57 არქიტექტურის ბირთვებით 2 გიგაჰერც სიხშირით და 4 შედარებით დაბალი წარმადობის  Cortex-A53 არქიტექტურის ბირთვებით 1.5 გიგაჰერც სიხშირით(100 პროცენტით სწრაფი წინა მორბედთან შედარებით)
• გრაფიკული პროცესორი Adreno 430 650 მეგაჰერც სიხშირით (30 პროცენტით სწრაფი წინა მორბედთან შედარები)
• DSP პროცესორი-Hexagon V56 800 მეგაჰერც სიხშირით
• მეხისერების ტექნოლოგია-4 გიგაბაიტიანი ოპერატიული LPDDR4 1600 მეგაჰერც სიხშირით, ორ არხიანი 64-ბიტიანი (გამტარობა 25.6 გიგაბაიტი წამში).
• 4K UHD ეკრანის მხარდაჭერა
• 4K ვიდეოს ყურება და გაშვება სხვა მოწყობილობაზე, HDMI1.4
• კამერის Gyro-ვიდეო სტაბილიზაცია, 4K და 3D ვიდეო გადაღება წამში 30 კადრით, 1080P ვიდეო გადაღება 120 კადრი წამში და ვიდეო გადაღებაზე ხმაურის შემცირება. 14 ბიტიანი ორმაგი სიგნალის მიმღები  55 მეგაპიქსელიანი კამერის და 1.2 გიგაპიქსელ გამტარობის მხარდაჭერა, ორმაგი ISP პროცესორი.
• Qualcomm® VIVE™ 2-სტრიმინგი 802.11ac როგორც მულტი MIMO, რომელიც წარმოადგეს ყველაზე სწრაფ Wi-Fi® ტექნოლოგიას (300 მეგაბიტი წამში, სამ ანტენიანი)
•  eMMC 5.0 მხარდაჭერა
•  OpenGL ES 3.1
• 4G LTE ქსელების მხარდაჭერა მეექვსე, მეშვიდე და მეცხრე კატეგორიების სამმაგი 20 მეგაჰერც სიხშირით (ჯამში 60 მეგაჰერც სიხშირით). LTE FDD, LTE TDD, WCDMA (DC-HSPA+, DC-HSUPA), CDMA1x, EV-DO Rev. B, TD-SCDMA და GSM/EDGE გლობალური ქსელების მხარდაჭერა.
• Qualcomm Quick Charge 2.0 სწრაფი დატენვის ტექნოლოგია
• USB 3.0/2.0
• Bluetooth 4.1
• Qualcomm WiPower ენერგო დაზოგვის ტექნოლოგია
• NFC
• GPS ტექნოლოგია მერვე თაობის Qualcomm IZat
• 3D თამაშების 4K რეზოლუციის ეკრანზე გაშვების შესაძლებლობა

6 ბირთვიანი Snapdragon 808-ის ტექნიკური მახასიათებლებია:

• 2 მაღალი წარმადობის Cortex-A57 არქიტექტურის ბირთვებით 2 გიგაჰერც სიხშირით და 4 შედარებით დაბალი წარმადობის  Cortex-A53 არქიტექტურის ბირთვებით 1.5 გიგაჰერც სიხშირით.
• გრაფიკული პროცესორი Adreno 418 600 მეგაჰერც სიხშირით (20 პროცენტით სწრაფი წინა მორბედთან შედარები)
• DSP პროცესორი-Hexagon V56 800 მეგაჰერც სიხშირით
• მეხისერების ტექნოლოგია-4 გიგაბაიტიანი ოპერატიული LPDDR4 933 მეგაჰერც სიხშირით, ორ არხიანი 32-ბიტიანი (გამტარობა 12.8 გიგაბაიტი წამში).
•  WQXGA (2560×1600) ეკრანის მხარდაჭერა
• 4K ვიდეოს ყურება და გაშვება სხვა მოწყობილობაზე, HDMI1.4
• კამერის Gyro-ვიდეო სტაბილიზაცია, 4K და 3D ვიდეო გადაღება წამში 30 კადრით, 1080P ვიდეო გადაღება 120 კადრი წამში და ვიდეო გადაღებაზე ხმაურის შემცირება. 12 ბიტიანი ორმაგი სიგნალის მიმღები  55 მეგაპიქსელიანი კამერის და 1.2 გიგაპიქსელ გამტარობის მხარდაჭერა, ორმაგი ISP პროცესორი.
• Qualcomm® VIVE™ 2-სტრიმინგი 802.11ac როგორც მულტი MIMO, რომელიც წარმოადგეს ყველაზე სწრაფ Wi-Fi® ტექნოლოგიას (300 მეგაბიტი წამში, სამ ანტენიანი)
•  eMMC 5.0 მხარდაჭერა
•  OpenGL ES 3.1
• 4G LTE ქსელების მხარდაჭერა მეექვსე, მეშვიდე და მეცხრე კატეგორიების სამმაგი 20 მეგაჰერც სიხშირით (ჯამში 60 მეგაჰერც სიხშირით). LTE FDD, LTE TDD, WCDMA (DC-HSPA+, DC-HSUPA), CDMA1x, EV-DO Rev. B, TD-SCDMA და GSM/EDGE გლობალური ქსელების მხარდაჭერა.
• Qualcomm Quick Charge 2.0 სწრაფი დატენვის ტექნოლოგია
• USB 3.0/2.0
• Bluetooth 4.1