Samsung-მა ოფიციალურად დაანონსა ახალ ფლაგმანური ჩიფსეტი Exunos 8 Octa 8890, რომელსაც Samsung-ის მომავალ ფლაგმანურ სმარტფონებში ვიხილავთ.
ჩიფსეტის ცენტრალური ბირთვები წარმოდგენილია big.LITTLE არქიტექტურით, 4 Samsung-ის მიერ SCI ტექნოლოგიით შექმნილი მაღალი წარმადობის ბირთვით (მინიმალური სიხშირე 2.3 გიგაჰერცი და მაქსიმალური 2.5 გიგაჰერცი) და 4 ARM Cortex A53-ის არქიტექტურის დაბალი წარმადობის ბირთვით. ცენტრალური ბირთვების სიმძლავრე გაზრდილია 30 პროცენტით და ენერგო მოხმარება შემცირებულია 10 პროცენტით.
ჩიფსეტის გრაფიკული პროცესორი წარმოდგენილია მაღალი წარმადობის Mali-T880-ის 12 ბირთვით, სიმძლავრე წინამორბედთან შედარებით გაზრდილია 1.8-ჯერ, ენერგო მოხმარება შემცირებულია 40 პროცენტით.
4K UHD 4096x2160p რეზოლუციის და WQUXGA 3840x2400p რეზოლუციის ეკრანების მხარდაჭერა.
4G LTE მოდემების კატეგორია 12 და 13, გადმოწერის სისწრაფე 600 მეგაბიტი წამში და ატვრთვის სისწრაფე 150 მეგაბიტი წამში.
ჩიფსეტი დამზადებულია 14 ნაომეტრიანი FinFET LPP ტექნოლოგიით.
აღნიშნული ინფორმაცია ჯერჯერობით არასრულია და პოსტი ჩასწორდება უახლოეს მომავალში.
შეგახსენებთ, რომ Samsung-ის Galaxy S7-ის პრეზენტაცია დაგეგმილია 21 თებერვალს ბარსელონაში დაგეგმილ MWC კონფერენციაზე.
No comments:
Post a Comment