Qualcomm-მა ოფიციალურად დაანონსა Snapdragon 820-ის ჩიფსეტის ტექნიკური მახასიათებლები.
ჩიფსეტი წარმოებულია 14 ნანომეტრიანი FinFET ტექნოლოგიით, რომლის ცენტრალური პროცესორიც წარმოდგენილია 4 Qualcomm-ის შექმნილი Kryo 64 ბიტიანი არქიტექტურის ბირთვით (თითოეული ბირთვი მუშაობს 2.2 გიგაჰერც სიხშირეზე), რომელიც ოპტიმიზირებულია ბატარიის ეკონომიაზე და ტემპერატურაზე.
Snapdragon 820-ის ცენტრალური Kryo ბირთვები მოიხმარს ორჯერ ნაკლებ ენერგიას და ორჯერ უფრო ძლიერია ვიდრე Snapdragon 810-ის ცენტრალური ბირთვები.
Snapdragon 820-ის შემადგენლობაში შედის გრაფიკული პროცესორი "Adreno 530", რომელიც 40 პროცენტით ძლიერია და 40 პროცენტით ზოგავს ენერგო მოხმარება "Adreno 430"-თან შედარებით.
სიახლე კამერასაც შეეხო და წარმოდგენილია ორმაგი სიგნალის მიმღები 14 ბიტიანი პროცესორი "Spectra", რომელსაც აქვს ჰიბრიდული ავტოფოკუსის და მულტი სენსორის მხარდაჭერა.
ციფრული სიგნალის მიმღებ პროცესორად წარმოდგენილია "Hexagon 680", რომელიც გამოიყენება ბატარიის დაზოგვისთვის, ამოცანების სწრაფად შესრულებაში და კამერას ეხმარება დაბალი განათების პირობებში გამოსახულება იყოს ნათელი და ხარისხიანი.
LTE (LTE-U)-ს კატეგორიები 12 და 13, Cat 12 საშუალებას მოგცემთ გადმოწეროთ ფაილი 600 მეგაბიტი წამში სისწრაფით და Cat 13 საშუალებას მოგცემთ ატვირთოთ ფაილი 150 მეგაბიტი წამში სისწრაფით.
წარმოდგენილია WiFi 802.11ac 2x2 MU-MIMO ტექნოლოგია, 4x4 MIMO და WiFi 802.11ad, რომელიც საშუალებას მოგცემთ 4K ვიდეოებს უყუროთ ონლაინში შეუფერხებლად.
Quick Charge 3.0 ტექნოლოგია, რომელიც 4-ჯერ სწრაფად დატენის მოწყობილობებს და მხარდაჭერილია USB C კონექტორზეც.
აღნიშნული ჩიფსეტით მოწყობილობები გამოჩნდება 2016 წლის პირველ კვარტალში.
სტატია განახლდება და დაიდება დეტალური აღწერა აღნიშნული ჩიფსეტის.
No comments:
Post a Comment